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IPB80N06S209ATMA2

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零件编号 :: IPB80N06S209ATMA2

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11351 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 25 - Oct 29 2025

PDF格式: IPB80N06S209ATMA2 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 125µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.36 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	190W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TO263-3-2
包/箱:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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