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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | - |
| 技术: | - |
| 漏源电压 (vdss): | - |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | - |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (最大值) @ id: | - |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | - |
| vgs (最大值): | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | - |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 供应商设备包: | - |
| 包/箱: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CSD17576Q5BTexas Instruments |
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
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BUK9M5R0-40HXNexperia |
MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 |
|
SI4435DDY-T1-E3Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO |
|
IPP126N10N3GRochester Electronics |
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 |
|
IXTN90N25L2Wickmann / Littelfuse |
MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B |
|
BUK7107-55ATE,118Rochester Electronics |
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
|
MGSF3433VT1Rochester Electronics |
PFET TSOP6S 20V 0.098R TR |
|
CSD19505KCSTexas Instruments |
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3 |
|
SQ2362ES-T1_GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 |
|
STF26N65DM2STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP |
|
STW15NK50ZSTMicroelectronics |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 |
|
IRFS7434-7PPBFRochester Electronics |
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK |
|
IPB100N06S2L05ATMA2IR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
