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BUK7109-75AIE,118

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PFET, 75A I(D), 75V, 0.009OHM, 1

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零件编号 :

BUK7109-75AIE,118

制造商
Rochester Electronics
描述
PFET, 75A I(D), 75V, 0.009OHM, 1
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
469046 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 24 - Nov 28 2024
PDF格式
BUK7109-75AIE,118 PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):75 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:121 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4.7 pF @ 25 V
场效应管特征:Current Sensing
功耗（最大值）:272W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-426
包/箱:TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
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