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SI2308BDS-T1-GE3

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零件编号 :: SI2308BDS-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 39614 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 14 - Nov 18 2024

PDF格式: SI2308BDS-T1-GE3 PDF

类型	描述
系列:	TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.3A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	6.8 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	190 pF @ 30 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	SOT-23-3 (TO-236)
包/箱:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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