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R6076ENZ1C9

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零件编号 :: R6076ENZ1C9

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 600V 76A TO247

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10426 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: R6076ENZ1C9 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	76A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 44.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	260 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	6500 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	120W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-247
包/箱:	TO-247-3

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