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NTD18N06-1G

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零件编号 :: NTD18N06-1G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 12765 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: NTD18N06-1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	18A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	710 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.1W (Ta), 55W (Tj)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	I-PAK
包/箱:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NTD18N06-1G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NTD18N06-1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NTD18N06-1G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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