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零件编号 :

MSC080SMA120S

制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
901390 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:35A
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):20V
rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:2.8V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 20 V
vgs (最大值):+23V, -10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:838 pF @ 1000 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):182W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D3PAK
包/箱:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
MSC080SMA120S 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 MSC080SMA120S 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为MSC080SMA120S 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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