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TK170V65Z,LQ

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零件编号 :: TK170V65Z,LQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 14980 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

类型	描述
系列:	DTMOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	18A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 730µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1635 pF @ 300 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	150W (Tc)
工作温度:	150°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	5-DFN (8x8)
包/箱:	4-VSFN Exposed Pad

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