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RS3L110ATTB1

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零件编号 :: RS3L110ATTB1

制造商: ROHM Semiconductor

描述: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 211721 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 16 - Nov 20 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	11A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	12.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	115 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	6300 pF @ 30 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.4W (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-SOP
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RS3L110ATTB1 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 RS3L110ATTB1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为RS3L110ATTB1 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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