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C3M0045065D

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零件编号 :: C3M0045065D

制造商: Wolfspeed - a Cree company

描述: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10339 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 16 - Nov 20 2024

类型	描述
系列:	C3M™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	49A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	15V
rds on (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 17.6A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.6V @ 4.84mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 15 V
vgs (最大值):	+19V, -8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1621 pF @ 600 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	176W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-247-3
包/箱:	TO-247-3

C3M0045065D 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 C3M0045065D 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为C3M0045065D 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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