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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1

IPP80N06S2L11AKSA2

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零件编号 :

IPP80N06S2L11AKSA2

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
26000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 16 - Nov 20 2024
PDF格式
IPP80N06S2L11AKSA2 PDF
类型 描述
系列:OptiMOS™
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:10.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 93µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2.075 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:158W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:PG-TO220-3-1
包/箱:TO-220-3
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