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FQD12N20LTM-F085P

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MOSFET N-CH 200V 9A TO252

FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

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零件编号 :

FQD12N20LTM-F085P

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
102410 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
类型 描述
系列:QFET®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1080 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-252, (D-Pak)
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FQD12N20LTM-F085P 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 FQD12N20LTM-F085P 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为FQD12N20LTM-F085P 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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