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零件编号 :

PXN8R3-30QLJ

制造商
Nexperia
描述
PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
13000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 14 - Nov 18 2024
类型 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11.4A (Ta), 31A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.3mOhm @ 11.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:15.9 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:MLPAK33
包/箱:8-PowerVDFN
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