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NVD5865NLT4G

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零件编号 :: NVD5865NLT4G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11050 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 29 - Nov 02 2025

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Not For New Designs
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	10A (Ta), 46A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1.4 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3.1W (Ta), 71W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DPAK
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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