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MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK

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零件编号 :

FQB5N60CTM-WS

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
7702400 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 14 - Nov 18 2024
PDF格式
FQB5N60CTM-WS PDF
类型 描述
系列:QFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:670 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:100W (Tc)
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D²PAK (TO-263AB)
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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