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TK11A60D(STA4,Q,M)

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MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

TK11A60D(STA4,Q,M)

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零件编号 :

TK11A60D(STA4,Q,M)

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
586058 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 13 - Nov 17 2024
PDF格式
TK11A60D(STA4,Q,M) PDF
类型 描述
系列:π-MOSVII
包裹:Tube
零件状态:Last Time Buy
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:650mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1550 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:45W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-220SIS
包/箱:TO-220-3 Full Pack
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