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SIHH068N60E-T1-GE3

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MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8

SIHH068N60E-T1-GE3

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零件编号 :

SIHH068N60E-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
12535 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 27 - Dec 01 2024
类型 描述
系列:E
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:34A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:68mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2650 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:202W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® 8 x 8
包/箱:8-PowerTDFN
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