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TK31V60W5,LVQ

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MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

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零件编号 :

TK31V60W5,LVQ

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
816981 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 14 - Nov 18 2024
PDF格式
TK31V60W5,LVQ PDF
类型 描述
系列:DTMOSIV
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:30.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:109mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4.5V @ 1.5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:240W (Tc)
工作温度:150°C (TA)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:4-DFN-EP (8x8)
包/箱:4-VSFN Exposed Pad
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