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MTB3N60E

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零件编号 :: MTB3N60E

制造商: Rochester Electronics

描述: N-CHANNEL POWER MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 717071 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

类型	描述
系列:	*
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	-
技术:	-
漏源电压 (vdss):	-
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	-
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商设备包:	-
包/箱:	-

MTB3N60E 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 MTB3N60E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为MTB3N60E 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

港博实业有限公司 [香港]

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