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IPB120N06S4H1ATMA2

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零件编号 :: IPB120N06S4H1ATMA2

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10920 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: IPB120N06S4H1ATMA2 PDF

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 200µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	270 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	21900 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	250W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TO263-3-2
包/箱:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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