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SI3442DV

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MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

MCF5233CVM100J

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IC MCU 32BIT ROMLESS 256MAPBGA

SRF0905A-652Y

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CMC 6.5MH 300MA 2LN SMD AEC-Q200

SI3442DV

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零件编号 :

SI3442DV

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
35050 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 24 - Nov 28 2024
PDF格式
SI3442DV PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4.1A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.7V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:365 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.6W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SuperSOT™-6
包/箱:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI3442DV 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SI3442DV 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SI3442DV 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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