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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | - |
| 技术: | - |
| 漏源电压 (vdss): | - |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | - |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (最大值) @ id: | - |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | - |
| vgs (最大值): | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | - |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 供应商设备包: | - |
| 包/箱: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
SI7455DP-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 |
|
IRFF9133Rochester Electronics |
AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE |
|
SI1302DL-T1-E3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 |
|
DMN2040UVT-7Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R |
|
STF6N95K5STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP |
|
BSP296NH6327XTSA1IR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 |
|
IRF520PBF-BE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB |
|
AUIRF4905STRLIR (Infineon Technologies) |
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK |
|
SI7820DN-T1-E3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 |
|
IRF3205STRRPBFRochester Electronics |
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
|
SI7315DN-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 |
|
SFT1443-HRochester Electronics |
SFT1443-H |
|
RM5N650LDRectron USA |
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252-2 |
