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TSM085P03CV RGG

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零件编号 :: TSM085P03CV RGG

制造商: TSC (Taiwan Semiconductor)

描述: MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 16733 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 22 - Oct 26 2025

PDF格式: TSM085P03CV RGG PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	64A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3234 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	50W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-PDFN (3x3)
包/箱:	8-PowerWDFN

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