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NTMFS4H02NT1G

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零件编号 :: NTMFS4H02NT1G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 16000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

PDF格式: NTMFS4H02NT1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	37A (Ta), 193A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	38.5 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.651 pF @ 12 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3.13W (Ta), 83W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包/箱:	8-PowerTDFN

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