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FDFMA3P029Z

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零件编号 :: FDFMA3P029Z

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 13521 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 09 - Nov 13 2025

PDF格式: FDFMA3P029Z PDF

类型	描述
系列:	PowerTrench®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	87mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (最大值):	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	435 pF @ 15 V
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	1.4W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-MicroFET (2x2)
包/箱:	6-VDFN Exposed Pad

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