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SI3483DDV-T1-GE3

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零件编号 :: SI3483DDV-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 14035 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

类型	描述
系列:	TrenchFET® Gen IV
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6.4A (Ta), 8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	31.2mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	14.5 nC @ 10 V
vgs (最大值):	+16V, -20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	580 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2W (Ta), 3W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-TSOP
包/箱:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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