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FDS6675A

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零件编号 :: FDS6675A

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 14682 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 22 - Dec 26 2024

PDF格式: FDS6675A PDF

类型	描述
系列:	PowerTrench®
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	11A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 5 V
vgs (最大值):	±25V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.33 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.5W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-SOIC
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6675A 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 FDS6675A 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为FDS6675A 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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