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RW1A013ZPT2R

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零件编号 :: RW1A013ZPT2R

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 15754 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 26 - Mar 02 2025

PDF格式: RW1A013ZPT2R PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Not For New Designs
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	1.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	2.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	290 pF @ 6 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	400mW (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-WEMT
包/箱:	SOT-563, SOT-666

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