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SI7117DN-T1-E3

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MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

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零件编号 :

SI7117DN-T1-E3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10679 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 28 - Jan 01 2024
PDF格式
SI7117DN-T1-E3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):150 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.17A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® 1212-8
包/箱:PowerPAK® 1212-8
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