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SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3

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零件编号 :

SIHD1K4N60E-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
12963 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 24 - Feb 28 2025
类型 描述
系列:E
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4.2A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:1.45Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:172 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:63W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-252AA
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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