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SI8483DB-T2-E1

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零件编号 :: SI8483DB-T2-E1

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 15938 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 28 - Dec 02 2024

PDF格式: SI8483DB-T2-E1 PDF

类型	描述
系列:	TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	16A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	800mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1840 pF @ 6 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.77W (Ta), 13W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-Micro Foot™ (1.5x1)
包/箱:	6-UFBGA

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