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零件编号 :

SSM3K09FU,LF

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
26087 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 02 - Nov 06 2025
PDF格式
SSM3K09FU,LF PDF
类型 描述
系列:π-MOSVI
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:400mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:3.3V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:700mOhm @ 200MA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:1.8V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:20 pF @ 5 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:150mW (Ta)
工作温度:150°C
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:USM
包/箱:SC-70, SOT-323
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