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IRF7807VD2PBF

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零件编号 :: IRF7807VD2PBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 140914 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Mar 07 - Mar 11 2025

PDF格式: IRF7807VD2PBF PDF

类型	描述
系列:	FETKY™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	8.3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	2.5W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-SO
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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