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BSC130P03LSGAUMA1

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零件编号 :: BSC130P03LSGAUMA1

制造商: Rochester Electronics

描述: PFET, 12A I(D), 30V, 0.013OHM, 1

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 261326 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 14 - Nov 18 2024

PDF格式: BSC130P03LSGAUMA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	12A (Ta), 22.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.2V @ 150µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	73.1 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±25V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3.67 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TDSON-8-3
包/箱:	8-PowerVDFN

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