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IRF7207TR

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MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

IRF7207TR

IRF7207TR

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

IRF7207TR

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
591659 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 12 - Nov 16 2024
PDF格式
IRF7207TR PDF
类型 描述
系列:HEXFET®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.4A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.7V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:700mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:780 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2.5W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-SO
包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
IRF7207TR 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 IRF7207TR 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为IRF7207TR 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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