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MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

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PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

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零件编号 :

PHD21N06LT,118

制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
972197 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Mar 29 - Apr 02 2025
PDF格式
PHD21N06LT,118 PDF
类型 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:19A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:70mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:9.4 nC @ 5 V
vgs (最大值):±15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:56W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DPAK
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PHD21N06LT,118 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 PHD21N06LT,118 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为PHD21N06LT,118 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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