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CAP CER 1.4PF 63V C0G/NP0 1206

IRF6601

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MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

MKP385E43385KII2B0

MKP385E43385KII2B0

CAP FILM 0.33UF 10% 850VDC RAD

IRF6601

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

IRF6601

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
292329 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 01 - Dec 05 2024
PDF格式
IRF6601 PDF
类型 描述
系列:HEXFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:26A (Ta), 85A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3440 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3.6W (Ta), 42W (Tc)
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DIRECTFET™ MT
包/箱:DirectFET™ Isometric MT
IRF6601 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 IRF6601 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为IRF6601 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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