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STB20N60M2-EP

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MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

STB20N60M2-EP

STB20N60M2-EP

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

STB20N60M2-EP

制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
646264 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
PDF格式
STB20N60M2-EP PDF
类型 描述
系列:MDmesh™ M2-EP
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:13A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (最大值) @ id:4.75V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 10 V
vgs (最大值):-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
场效应管特征:-
功耗（最大值）:-
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D2PAK
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB20N60M2-EP 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 STB20N60M2-EP 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为STB20N60M2-EP 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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