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RFD12N06RLE

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零件编号 :: RFD12N06RLE

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 547054 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

PDF格式: RFD12N06RLE PDF

类型	描述
系列:	UltraFET™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	18A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±16V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	485 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	40W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	I-PAK
包/箱:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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