IRF6892STRPBF

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零件编号 :: IRF6892STRPBF

制造商: Rochester Electronics

描述: 25V 999A DIRECTFET-LV

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 13790 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 12 - Nov 16 2024

PDF格式: IRF6892STRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	28A (Ta), 125A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 50µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±16V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.51 pF @ 13 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.1W (Ta), 42W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DIRECTFET™ S3C
包/箱:	DirectFET™ Isometric S3C

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