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零件编号 :

IAUC120N04S6N006ATMA1

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IAUC120N04S6N006ATMA1
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
765876 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 12 - Nov 16 2024
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:120A (Tj)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:600µOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 130µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:151 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:10117 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):187W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PG-TDSON-8-53
包/箱:8-PowerTDFN
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