SSM3J66MFV,L3F

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零件编号 :: SSM3J66MFV,L3F

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 17265 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 24 - Feb 28 2025

类型	描述
系列:	U-MOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	800mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	1.6 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	+6V, -8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	100 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	150mW (Ta)
工作温度:	150°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	VESM
包/箱:	SOT-723

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