STL18NM60N

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零件编号 :: STL18NM60N

制造商: STMicroelectronics

描述: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 446644 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 26 - Mar 02 2025

PDF格式: STL18NM60N PDF

类型	描述
系列:	MDmesh™ II
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Not For New Designs
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.1A (Ta), 12A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	310mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 50 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3W (Ta), 110W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PowerFlat™ (8x8) HV
包/箱:	8-PowerVDFN

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