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PMPB11R2VPX

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MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6

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零件编号 :

PMPB11R2VPX

制造商
Nexperia
描述
MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
686668 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 02 - Nov 06 2024
类型 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9.7A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:14mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:900mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2230 pF @ 6 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DFN2020M-6
包/箱:6-UDFN Exposed Pad
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