APT25SM120S

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零件编号 :: APT25SM120S

制造商: Microsemi

描述: SICFET N-CH 1200V 25A D3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 648064 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 03 - Nov 07 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	25A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 20 V
vgs (最大值):	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	175W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
供应商设备包:	D3
包/箱:	D-3 Module

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