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NVD4806NT4G-VF01

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MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

NVD4806NT4G-VF01

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零件编号 :

NVD4806NT4G-VF01

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
218121 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11.3A (Ta), 79A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 11.5V
rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 30A, 11.5V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 11.5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2142 pF @ 12 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.4W (Ta), 68W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DPAK (SINGLE GAUGE)
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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