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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss): | 600 V |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | 11.5A (Ta) |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
| vgs(th) (最大值) @ id: | 3.7V @ 600µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
| vgs (最大值): | ±30V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | 890 pF @ 300 V |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | 110W (Tc) |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商设备包: | TO-3P(N) |
| 包/箱: | TO-3P-3, SC-65-3 |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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JAN2N6800UMicrosemi |
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC |
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IPC60R070C6UNSAWNX6SA1IR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CH BARE DIE |
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IXFL60N60Wickmann / Littelfuse |
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
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IRFCZ44VBIR (Infineon Technologies) |
MOSFET 60V 55A DIE |
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2SJ601(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics America |
TRANSISTOR |
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IRC530PBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5 |
