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A1P50S65M2

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零件编号 :: A1P50S65M2

制造商: STMicroelectronics

描述: IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

目录: 晶体管 - igbts - 模块

可用性: 687268 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 30 - Dec 04 2024

PDF格式: A1P50S65M2 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tray
零件状态:	Active
igbt型:	Trench Field Stop
配置:	Three Phase Inverter
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	50 A
功率 - 最大值:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100 µA
输入电容 (cies) @ vce:	4150 pF @ 25 V
输入:	Standard
ntc热敏电阻:	Yes
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	Module
供应商设备包:	ACEPACK™ 1

A1P50S65M2 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 A1P50S65M2 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为A1P50S65M2 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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