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NGTB10N60R2DT4G

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零件编号 :: NGTB10N60R2DT4G

制造商: Rochester Electronics

描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 12630 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: NGTB10N60R2DT4G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
igbt型:	-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	20 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 10A
功率 - 最大值:	72 W
开关能量:	412µJ (on), 140µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	53 nC
td（开/关）@ 25°c:	48ns/120ns
测试条件:	300V, 10A, 30Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	90 ns
工作温度:	175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:	DPAK

NGTB10N60R2DT4G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NGTB10N60R2DT4G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NGTB10N60R2DT4G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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