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STGW50H65DFB2-4

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零件编号 :: STGW50H65DFB2-4

制造商: STMicroelectronics

描述: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 875887 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

类型	描述
系列:	HB2
包裹:	Tube
零件状态:	Active
igbt型:	Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	86 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	150 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 50A
功率 - 最大值:	272 W
开关能量:	629µJ (on), 478µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	151 nC
td（开/关）@ 25°c:	18ns/128ns
测试条件:	400V, 50A, 12Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	92 ns
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-247-4
供应商设备包:	TO-247-4

STGW50H65DFB2-4 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 STGW50H65DFB2-4 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为STGW50H65DFB2-4 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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